卷對卷立式磁控鍍膜裝置

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201310196343.5 申請日 -
公開（公告）號 CN103290385B 公開（公告）日 2015-07-22
申請公布號 CN103290385B 申請公布日 2015-07-22
分類號 C23C14/56(2006.01)I;C23C14/35(2006.01)I 分類 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學處理；金屬材料的擴散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 謝建軍 申請（專利權）人 深圳市生波爾機電設備有限公司
代理機構 深圳市世紀恒程知識產權代理事務所 代理人 深圳市生波爾機電設備有限公司;廣東生波爾光電技術有限公司
地址 518000 廣東省深圳市坪山新區(qū)深圳出口加工區(qū)2號路達新小區(qū)A棟廠房第一層西
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 發(fā)明公開了一種卷對卷立式磁控鍍膜裝置，包括：鍍膜室，鍍膜室的一端連接設有一放卷室，放卷室內設有輥軸為豎直方向設置的放卷輥和導向輥；鍍膜室的另一端連接設有一收卷室，收卷室設有輥軸為豎直方向設置的收卷輥和第一導向輥；鍍膜室的側壁上設置有磁控濺射靶，磁控濺射靶的靶面為豎直方向設置，并與柔性基片所在面平行；放卷室與鍍膜室、鍍膜室與收卷室間分別設有通過柔性基片的狹縫；放卷室、鍍膜室、收卷室分別設有獨立的抽氣系統(tǒng)。本發(fā)明所提供的裝置，可防止雜質氣體污染鍍膜室，以保證膜層不受雜質污染；同時可防止室體內產生的細小粉塵及顆粒落入柔性基片表面和磁控濺射靶的靶面上，避免了膜層出現(xiàn)針孔現(xiàn)象，保證了膜層的質量。