一種雙絕緣層日盲紫外光敏薄膜晶體管的制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110590641.7 申請日 -
公開（公告）號 CN113314642A 公開（公告）日 2021-08-27
申請公布號 CN113314642A 申請公布日 2021-08-27
分類號 H01L31/18（2006.01）I;H01L31/113（2006.01）I;H01L31/032（2006.01）I;H01L31/0224（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 高曉紅;王森;孟冰;陳偉利;楊佳;郭亮;趙陽;王艷杰;遲耀丹;楊小天 申請（專利權(quán)）人 吉林建筑大學(xué)
代理機構(gòu) 北京遠大卓悅知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 劉小嬌
地址 130000吉林省長春市新城大街5088號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種雙絕緣層日盲紫外光敏薄膜晶體管的制備方法，包括：步驟一、對襯底進行預(yù)處理后，通過光刻剝離技術(shù)在襯底上曝光顯影出柵極區(qū)域，并在柵極區(qū)域蒸鍍導(dǎo)電膜，得到第一基底；步驟二、在第一基底上通過光刻剝離技術(shù)顯影出第一堆疊區(qū)域，在第一堆疊區(qū)域沉積Ta2O5薄膜，得到第二基底；其中，第一堆疊區(qū)域柵極區(qū)域部分重疊；步驟三、在第二基底的Ta2O5薄膜上沉積MgO薄膜，得到第三基底；步驟四、在第三基底的MgO薄膜上沉積Mg0.5Zn0.5O薄膜，得到第四基底；步驟五、在第四基底上通過光刻剝離技術(shù)曝光顯影出第二堆疊區(qū)域，在第二堆疊層區(qū)域沉積叉指電極層，得到晶體管；其中，第二堆疊區(qū)域位于Mg0.5Zn0.5O薄膜上方，并且第二堆疊區(qū)域的邊緣與Mg0.5Zn0.5O薄膜的邊緣完全重合。