一種氧化鈰顆粒及含其的拋光漿料

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202110004086.5 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN112723405A 公開（公告）日 2021-04-30
申請(qǐng)公布號(hào) CN112723405A 申請(qǐng)公布日 2021-04-30
分類號(hào) C01F17/235;C01F17/10;C09G1/02;B82Y30/00;B82Y40/00 分類 無(wú)機(jī)化學(xué);
發(fā)明人 王溯;蔣闖;馬麗;寇浩東;孫濤;章玲然;張德賀;秦長(zhǎng)春 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 上海暉研材料科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海弼興律師事務(wù)所 代理人 王衛(wèi)彬;何敏清
地址 201616 上海市松江區(qū)思賢路3600號(hào)2幢4樓2409室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種氧化鈰顆粒及含其的拋光漿料。具體公開了一種氧化鈰顆粒，所述氧化鈰顆粒的前驅(qū)體材料的第一顆粒尺寸為200?500μm；所述氧化鈰顆粒的拉曼光譜包含在458cm?1處的峰和583cm?1處的峰，且其中在458cm?1處的峰的強(qiáng)度與在583cm?1處的峰的強(qiáng)度的比率為峰比率，所述氧化鈰顆粒的峰比率為70?90。本發(fā)明還公開了一種拋光漿料，所述拋光漿料包含所述氧化鈰顆粒。本發(fā)明通過控制氧化鈰顆粒的顆粒峰比率、氧化鈰顆粒的前驅(qū)體材料的顆粒尺寸在一定范圍內(nèi)，使得應(yīng)用于STI的CMP制程時(shí)，具有優(yōu)良的移除速率和選擇性，且具有不引起微劃痕或使微劃痕數(shù)量最小化的能力。