在基材表面制備微納結(jié)構(gòu)的方法和表面具有微納結(jié)構(gòu)的基材及其應用
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN202111195108.7 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN114100998A | 公開(公告)日 | 2022-03-01 |
申請公布號 | CN114100998A | 申請公布日 | 2022-03-01 |
分類號 | B05D5/00(2006.01)I;B05D5/08(2006.01)I;B05D3/06(2006.01)I;B05D3/14(2006.01)I | 分類 | 一般噴射或霧化;對表面涂覆液體或其他流體的一般方法〔2〕; |
發(fā)明人 | 李可峰 | 申請(專利權(quán))人 | 維達力科技股份有限公司 |
代理機構(gòu) | 華進聯(lián)合專利商標代理有限公司 | 代理人 | 黎金娣 |
地址 | 437300湖北省咸寧市赤壁市經(jīng)濟開發(fā)區(qū)中伙光谷產(chǎn)業(yè)園 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明涉及一種在基材表面制備微納結(jié)構(gòu)的方法和表面具有微納結(jié)構(gòu)的基材及其應用。包括如下步驟:提供基材和具有微納米尺寸的三維立體結(jié)構(gòu)的微納紋理模板;在所述基材上施加轉(zhuǎn)印UV膠;通過UV轉(zhuǎn)印將所述微納紋理模板施加在所述轉(zhuǎn)印UV膠上,再通過UV固化制備過渡膠層,移除所述微納紋理模板,制備中間體;采用蝕刻等離子源對所述中間體進行等離子蝕刻,以去除所述基材表面需要蝕刻區(qū)域的過渡膠層,并在所述基材的表面蝕刻出具有微納米尺寸的三維立體結(jié)構(gòu)。該方法操作簡易、微納結(jié)構(gòu)形貌可控、低成本、長效、可大批量應用的優(yōu)點。另外,還可以減少曝光顯影的使用,節(jié)省設備成本和制作成本。 |
