一種增加VDMOS溝道密度的蛇形布圖結(jié)構(gòu)和布圖方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201811004844.8 申請日 -
公開（公告）號 CN108899318A 公開（公告）日 2018-11-27
申請公布號 CN108899318A 申請公布日 2018-11-27
分類號 H01L27/02;H01L27/088;H01L29/423;H01L29/78 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 趙少峰 申請（專利權(quán)）人 無錫摩斯法特電子有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京慧誠智道知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（特殊普通合伙） 代理人 李楠
地址 214135 江蘇省無錫市無錫新區(qū)清源路18號太湖國際科技園傳感大學(xué)科技園530大廈C708號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明實施例涉及一種增加VDMOS溝道密度的蛇形布圖結(jié)構(gòu)和布圖方法,布圖結(jié)構(gòu)包括沿第一方向和第二方向重復(fù)排列的多個元胞：元胞包括：第一溝槽柵、第二溝槽柵、第三溝槽柵和兩個接觸孔；第一溝槽柵與第二溝槽柵沿第二方向相互平行設(shè)置，第三溝槽柵為S型，置于第一溝槽柵與第二溝槽柵之間；一個接觸孔置于第三溝槽柵與第二溝槽柵之間，另一個接觸孔置于第三溝槽柵與第一溝槽柵之間；其中，接觸孔至第一溝槽柵、第二溝槽柵和第三溝槽柵的間距均不小于第一最小間距；第三溝槽柵至第一溝槽柵、第二溝槽柵的間距均不小于第二最小間距；每個元胞的第二溝槽柵與在第一方向上相鄰一個元胞的第一溝槽柵為相互重合的同一溝槽柵；第一方向與第二方向相垂直。