一種用于溝槽柵VDMOS器件老化的方法和老化設(shè)備
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202010843626.4 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN111983416A | 公開(kāi)（公告）日 | 2020-11-24 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN111983416A | 申請(qǐng)公布日 | 2020-11-24 |
| 分類號(hào) | G01R31/26(2014.01)I | 分類 | 測(cè)量；測(cè)試; |
| 發(fā)明人 | 趙秋森 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 無(wú)錫摩斯法特電子有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 北京慧誠(chéng)智道知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（特殊普通合伙） | 代理人 | 李楠 |
| 地址 | 214100江蘇省無(wú)錫市建筑西路599-1（1號(hào)樓）八樓807、808室 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明實(shí)施例涉及一種用于溝槽柵VDMOS器件老化的方法和老化設(shè)備，所述方法包括：控制電路輸出第一控制信號(hào)，控制可控電壓源向待老化VDMOS器件的漏極施加正電壓至達(dá)到待老化VDMOS器件的擊穿電壓；在設(shè)定老化時(shí)間內(nèi)，控制電路獲取待老化VDMOS器件的漏源電流的第一實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)信號(hào)，并且獲取待老化VDMOS器件的器件表面溫度的第二實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)信號(hào)，根據(jù)第一實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)信號(hào)和第二實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)信號(hào)輸出第二控制信號(hào)；可控電壓源根據(jù)第二控制信號(hào)調(diào)整輸出電壓，使得待老化VDMOS器件的漏源電流在第一預(yù)設(shè)范圍內(nèi)且器件表面溫度在第二預(yù)設(shè)范圍內(nèi)；計(jì)時(shí)結(jié)束后，對(duì)待老化VDMOS器件進(jìn)行降溫處理后從老化設(shè)備中取出，得到老化處理后的溝槽柵VDMOS器件。?? |
