一種精準控制單晶生長界面的方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202111680189.X 申請日 -
公開（公告）號 CN114318513A 公開（公告）日 2022-04-12
申請公布號 CN114318513A 申請公布日 2022-04-12
分類號 C30B15/28（2006.01）I;C30B29/06（2006.01）I 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 張歡;郝曉明;張宏浩;吳志強;崔彬;姜艦;連慶偉;李超 申請（專利權(quán)）人 山東有研半導體材料有限公司
代理機構(gòu) 北京北新智誠知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 劉秀青
地址 253012山東省德州市經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū)袁橋鎮(zhèn)東方紅東路6596號（中元科技創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)園）A座921室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種精準控制單晶生長界面的方法，包括以下步驟：（1）等徑直徑穩(wěn)定后，通過單晶爐客戶端依次獲得等徑過程中直徑穩(wěn)定位置A和單晶重量W1、位置B和單晶重量W2、位置C和單晶重量W3；其中位置C為生長界面所在位置，計算位置A到位置B的單晶重量隨著長度的變化率α＝（W2?W1）/（B?A）、以及位置B到位置C的單晶重量隨著長度的變化率β＝（W3?W2）/（C?B）；（2）通過計算確定出單晶理論重量隨長度的變化率m，按照m隨長度的變化得到一條線，并以此線作為基準線；（3）比較α和β的數(shù)值，若m＜α＜β，則判斷生長界面為凸面，提升拉速；若m＞α＞β，則判斷生長界面為凹面，降低拉速；（4）隨著單晶長度增加，不斷比較連續(xù)兩段的重量隨長度的變化率值，及時調(diào)整拉速。