一種用于鍵合工藝的硅襯底拋光片的制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202111616066.X 申請日 -
公開（公告）號 CN114346924A 公開（公告）日 2022-04-15
申請公布號 CN114346924A 申請公布日 2022-04-15
分類號 B24D18/00（2006.01）I;B24B1/00（2006.01）I;B28D5/04（2006.01）I;B28D5/00（2006.01）I;H01L21/762（2006.01）I 分類 磨削；拋光;
發(fā)明人 鐘耕杭;王新;邊永智;寧永鐸;徐繼平;張健華;韓萍;林霖;田鳳閣;李鈞宏;顏俊堯;朱曉彤 申請（專利權(quán)）人 山東有研半導體材料有限公司
代理機構(gòu) 北京北新智誠知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 劉秀青
地址 253012山東省德州市經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū)袁橋鎮(zhèn)東方紅東路6596號（中元科技創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)園）A座921室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種用于鍵合工藝的硅襯底拋光片的制備方法，包括以下步驟：（1）采用磁場拉晶法進行拉晶，磁場類型為水平磁場，磁場強度為1000?5000高斯，磁場形狀為馬鞍形，晶轉(zhuǎn)為5?15rpm，堝轉(zhuǎn)為0.1?3rpm；控制晶體生長時液面位置+/?0.5mm波動范圍；（2）進行滾磨及線切割；（3）進行倒角輪廓設(shè)計與加工，進行四次倒角，分別使用800#導輪粗倒2次，1000?3000#導輪精倒2次，使用非對稱倒角，輪廓幅長X1大于600μm，X2小于300μm；（4）進行研磨腐蝕，先進行堿腐蝕，再進行酸腐蝕，堿腐蝕去除量控制在5?15μm，酸腐蝕去除量控制在15?20μm；（5）進行拋光，拋光轉(zhuǎn)速控制在30?50rpm，壓力控制在300?500kg，化學液濃度控制在1∶15?1∶30，pH值控制在9?13，蠟膜厚度控制在1?3μm；（6）進行清洗檢測；（7）進行邊緣形狀評估。