一種重摻砷大直徑低阻硅單晶的拉制方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202111593665.4 申請日 -
公開（公告）號 CN114318507A 公開（公告）日 2022-04-12
申請公布號 CN114318507A 申請公布日 2022-04-12
分類號 C30B15/20（2006.01）I;C30B29/06（2006.01）I 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 王凱磊;李英濤;王萬華;皮小爭;方峰;崔彬 申請（專利權）人 山東有研半導體材料有限公司
代理機構 北京北新智誠知識產權代理有限公司 代理人 劉秀青
地址 253012山東省德州市經濟技術開發(fā)區(qū)袁橋鎮(zhèn)東方紅東路6596號（中元科技創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)園）A座921室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種重摻砷大直徑低阻硅單晶的拉制方法，等徑過程中爐內壓力變化如下：（1）等徑前期：爐內壓力保持為75?105Torr之間某一值不變或由75?105Torr均勻升高到90?160Torr；（2）等徑中期：從等徑前期的爐內壓力均勻下降到85?65Torr或維持在等徑前期的爐內壓力不變；（3）等徑后期：維持在等徑中期的爐內壓力不變或從等徑中期的爐內壓力均勻下降到75?50Torr后再維持最低壓力不變；晶體拉速的變化如下：（1）等徑前期：晶體拉速從45?65mm/hr均勻降到40?25mm/hr；（2）等徑中期和等徑后期：晶體拉速保持在等徑前期的最低拉速不變。本發(fā)明能夠有效解決大直徑砷單晶等徑卡、電阻率高的問題，提高單晶成晶率，獲得完好的大直徑低阻硅單晶。