一種N型摻雜硅單晶的制備方法以及所制備的摻雜硅單晶

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202111487642.5 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN114351243A 公開（公告）日 2022-04-15
申請(qǐng)公布號(hào) CN114351243A 申請(qǐng)公布日 2022-04-15
分類號(hào) C30B15/04（2006.01）I;C30B29/06（2006.01）I;C30B15/14（2006.01）I 分類 晶體生長(zhǎng)〔3〕;
發(fā)明人 方峰;李英濤;王萬華;王凱磊;鐘耕杭 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 山東有研半導(dǎo)體材料有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京北新智誠(chéng)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 劉秀青
地址 253012山東省德州市經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)袁橋鎮(zhèn)東方紅東路6596號(hào)（中元科技創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)園）A座921室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種N型摻雜硅單晶的制備方法，利用直拉法，將熔體硅原始質(zhì)量設(shè)為W3；熔體液面到達(dá)r弧形過渡區(qū)時(shí)的熔體硅的重量設(shè)為W2；熔體液面到達(dá)r弧形過渡區(qū)與底部R弧形區(qū)相交位置時(shí)的熔體硅的重量設(shè)為W1；在坩堝內(nèi)剩余熔體硅的重量為1.5W2時(shí)，開啟底部加熱器S10；在剩余熔體硅的重量從1.5W2變化至W2的過程中，底部加熱器S10的輸出功率從主加熱器S11輸出功率的0％線性提升到主加熱器S11輸出功率的10％～15％；在剩余熔體硅的重量從W2變化至W1的過程中，底部加熱器S10的輸出功率由主加熱器S11輸出功率的10％～15％線性提升到主加熱器S11輸出功率的30％～35％，并保持到收尾完成。采用本發(fā)明的制備方法能夠避免或延遲高摻雜濃度導(dǎo)致的組分過冷現(xiàn)象發(fā)生，維持晶體的無位錯(cuò)生長(zhǎng)。