一種重摻磷超低阻硅單晶的制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202111594443.4 申請日 -
公開（公告）號 CN114318508A 公開（公告）日 2022-04-12
申請公布號 CN114318508A 申請公布日 2022-04-12
分類號 C30B15/20（2006.01）I;C30B29/06（2006.01）I 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 王萬華;李英濤;王凱磊;皮小爭;方峰;崔彬 申請（專利權(quán)）人 山東有研半導(dǎo)體材料有限公司
代理機構(gòu) 北京北新智誠知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 劉秀青
地址 253012山東省德州市經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū)袁橋鎮(zhèn)東方紅東路6596號（中元科技創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)園）A座921室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種重摻磷超低阻硅單晶的制備方法，在等徑工序中，所采用的工藝為：（1）等徑前期，爐室壓力由70?90Torr升到180?220Torr；（2）等徑中期，爐室壓力維持在等徑前期升至的高壓不變；（3）等徑后期，爐室壓力由所述高壓降到120?150Torr；在整個等徑過程中，晶體拉速以每毫米等徑長度下降0.01?0.2mm/hr的速度下降，在整個等徑過程中，晶體拉速由55?60mm/hr降至20?25mm/hr。本發(fā)明通過控制晶體的拉速和爐室壓力，能夠克服等徑后期因分凝導(dǎo)致雜質(zhì)濃度過大出現(xiàn)位錯的現(xiàn)象，從而獲得無位錯的完整單晶。