一種5G高頻用超低介電常數(shù)中空二氧化硅及其制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202010152657.5 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN111232993B 公開（公告）日 2021-09-14
申請(qǐng)公布號(hào) CN111232993B 申請(qǐng)公布日 2021-09-14
分類號(hào) C01B33/18;B82Y30/00;B82Y40/00 分類 無機(jī)化學(xué);
發(fā)明人 宋錫濱;馬雁冰;李心勇;潘光軍 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 上海國(guó)瓷新材料技術(shù)有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京智橋聯(lián)合知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 杜瑞鋒
地址 257091 山東省東營(yíng)市經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)遼河路24號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明屬于材料化學(xué)技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種5G高頻用超低介電常數(shù)中空二氧化硅材料，并進(jìn)一步公開其制備方法與應(yīng)用。本發(fā)明所述中空二氧化硅材料為具有一定閉合空腔結(jié)構(gòu)的無定型二氧化硅粉體材料，其殼體表面及內(nèi)部光滑平整，殼體具有氣孔，利用二氧化硅和空氣的復(fù)合特性，使得整個(gè)高頻帶上介電常數(shù)、介電損耗趨于穩(wěn)定，在5G高頻20?43.5GHz范圍內(nèi)介電常數(shù)為1.5?3.3，克服傳統(tǒng)陶瓷材料高介電損耗的缺點(diǎn)，適用于5G通訊消費(fèi)電子芯片封裝陶瓷基板、玻璃陶瓷共燒基板等應(yīng)用領(lǐng)域。