半導(dǎo)體激光器、巴條及制作方法
基本信息
| 申請?zhí)?/td> | CN202010431954.3 | 申請日 | - |
| 公開（公告）號 | CN111641102A | 公開（公告）日 | 2020-09-08 |
| 申請公布號 | CN111641102A | 申請公布日 | 2020-09-08 |
| 分類號 | H01S5/028(2006.01)I | 分類 | - |
| 發(fā)明人 | 胡海;謝曳華;邱于珍 | 申請（專利權(quán)）人 | 深圳瑞波光電子有限公司 |
| 代理機構(gòu) | 深圳市威世博知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 深圳瑞波光電子有限公司 |
| 地址 | 518052廣東省深圳市南山區(qū)西麗鎮(zhèn)茶光路1089號深圳集成電路設(shè)計應(yīng)用產(chǎn)業(yè)園404 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明公開了半導(dǎo)體激光器、巴條及制作方法，其中，半導(dǎo)體激光器，包括：襯底；外延結(jié)構(gòu)，覆蓋于所述襯底的上表面；第一絕緣層，覆蓋于所述外延結(jié)構(gòu)的上表面，并在厚度方向開設(shè)有貫穿的電流注入窗口；第一電極，覆蓋于所述第一絕緣層的上表面以及所述外延結(jié)構(gòu)通過所述電流注入窗口外露的部分的上表面；第二絕緣層，在對應(yīng)所述電流注入窗口位置處覆蓋于所述第一電極的上表面，在所述第一絕緣層上的投影的外輪廓與所述電流注入窗口的邊緣相對應(yīng)，以使得所述第二絕緣層可以部分或地抵消所述第一絕緣層在所述電流注入窗口的邊緣處對所述外延結(jié)構(gòu)產(chǎn)生的應(yīng)力。通過上述方式，本發(fā)明能夠減小工藝過程中引入的應(yīng)力對半導(dǎo)體材料造成的影響。?? |
