一種新型雙倍電流IGBT封裝結(jié)構(gòu)及其方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202010536799.1 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN111653531A | 公開(kāi)（公告）日 | 2020-09-11 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN111653531A | 申請(qǐng)公布日 | 2020-09-11 |
| 分類號(hào) | H01L23/367(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 王丕龍;朱文輝;王新強(qiáng);潘慶波 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 青島恒芯半導(dǎo)體有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 武漢聚信匯智知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 青島恒芯半導(dǎo)體有限公司 |
| 地址 | 266000山東省青島市城陽(yáng)區(qū)長(zhǎng)城路89號(hào)海峽兩岸產(chǎn)業(yè)園2棟7樓 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明提供了一種新型雙倍電流IGBT封裝結(jié)構(gòu)，包括基板，所述基板的頂部開(kāi)設(shè)有凹槽，所述凹槽的內(nèi)部自上而下依次設(shè)置有導(dǎo)熱層和隔熱層，所述導(dǎo)熱層的的頂部設(shè)置有IGBT模塊，所述IGBT模塊的一側(cè)設(shè)置有電極，隔熱層將IGBT模塊與基板隔離開(kāi)，IGBT模塊周圍為高溫區(qū)，基板底部為低溫區(qū)，第一導(dǎo)熱管和第二導(dǎo)熱管通過(guò)導(dǎo)熱層將IGBT模塊產(chǎn)生的熱量通過(guò)內(nèi)部填充的液態(tài)金屬冷卻劑傳遞到基板的底部，基板的底部與散熱塊形成較大熱差，散熱塊將基板底部的熱量傳遞到散熱片，散熱管增大散熱片與空氣的接觸面積，散熱片將熱量交換到溫度較低的空氣中，從而使雙倍電流IGBT封裝結(jié)構(gòu)具有更好的散熱效果，使IGBT模塊能夠承受更大的電流。?? |
