一種適用于大尺寸及超薄玻璃的鍍膜工藝及設(shè)備
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN201210152183.X | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN103422061B | 公開(公告)日 | 2016-01-27 |
申請公布號 | CN103422061B | 申請公布日 | 2016-01-27 |
分類號 | C23C14/34(2006.01)I;C03C17/00(2006.01)I | 分類 | 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面化學(xué)處理;金屬材料的擴(kuò)散處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆;金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕; |
發(fā)明人 | 姜翠寧 | 申請(專利權(quán))人 | 深圳市正星光電技術(shù)有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | - | 代理人 | - |
地址 | 518000 廣東省深圳市寶安區(qū)福永街道大洋路南側(cè)2棟一、二樓 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明公開了一種適用于大尺寸及超薄玻璃的鍍膜工藝及鍍膜設(shè)備,該鍍膜工藝采取設(shè)備雙面設(shè)置靶位,但是雙面可設(shè)置不同類型不同數(shù)量的靶位,通過選擇合適的傾斜角度,設(shè)備兩面均可做傾斜設(shè)計,其傾斜方式是以垂直于水平面的腔體的中心軸線為中心,設(shè)備的關(guān)鍵部位分別向兩側(cè)傾斜相同的角度,其關(guān)鍵部件為陰極靶位和承載玻璃的基片架,陰極靶位與基片架上裝載玻璃的框架傾斜同樣的角度,這樣保證玻璃基板在鍍膜時與靶面平行,靶基距一致,這種設(shè)計適合大尺寸超薄玻璃,產(chǎn)量高、設(shè)備雙面可同時完成不同類型產(chǎn)品,解決了現(xiàn)有技術(shù)設(shè)備無法高質(zhì)量的生產(chǎn)大尺寸超薄玻璃、含蓋產(chǎn)品范圍窄,對于特殊產(chǎn)品效率低、不利于產(chǎn)品拓展的弊端。 |
