弧光離子源增強磁控濺射裝置

基本信息

申請?zhí)?/td> CN200820065576.6 申請日 -
公開（公告）號 CN201169620Y 公開（公告）日 2008-12-24
申請公布號 CN201169620Y 申請公布日 2008-12-24
分類號 C23C14/35(2006.01);C23C14/46(2006.01) 分類 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學(xué)處理；金屬材料的擴散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 余益飛;楊兵;黎明;付德君 申請（專利權(quán)）人 武漢新鉻涂層設(shè)備有限公司
代理機構(gòu) 武漢華旭知識產(chǎn)權(quán)事務(wù)所 代理人 江釗芳
地址 430072湖北省武漢市武昌華光大道8號3－402
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型涉及一種弧光離子源增強中頻磁控濺射裝置，用于硬質(zhì)保護涂層的快速制備。本裝置由真空室、磁控濺射裝置、弧光離子源和基片架構(gòu)成，磁控靶垂直安裝于真空室側(cè)面，配備有大功率中頻開關(guān)電源，背面通有循環(huán)冷卻水；弧光離子源陰極燈絲置于真空室的頂部，陰極燈絲由一個交流電源為燈絲供電，同時接弧電源的陰極，旋轉(zhuǎn)基片架的轉(zhuǎn)軸位于真空室中心，基片豎直放置，基片架下安置電極板，與弧電源的陽極相連接。使用本裝置鍍膜分為離子清洗和氣相沉積兩個過程。本裝置充分發(fā)揮了弧光離子源和磁控濺射的優(yōu)點，沉積速度快、表面光潔度好，最適合用于氮化鉻等硬質(zhì)保護涂層的快速制備，屬于環(huán)境友好型替代電鍍鉻的裝置，生產(chǎn)過程無污染。