一種用于快速制備氮化鎵薄膜的裝置
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN200820065545.0 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN201169619Y | 公開(kāi)（公告）日 | 2008-12-24 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN201169619Y | 申請(qǐng)公布日 | 2008-12-24 |
| 分類(lèi)號(hào) | C23C14/35(2006.01);C23C14/06(2006.01);C01G15/00(2006.01) | 分類(lèi) | 對(duì)金屬材料的鍍覆；用金屬材料對(duì)材料的鍍覆；表面化學(xué)處理；金屬材料的擴(kuò)散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕; |
| 發(fā)明人 | 余益飛;何俊;付德君 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 | 武漢新鉻涂層設(shè)備有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 武漢華旭知識(shí)產(chǎn)權(quán)事務(wù)所 | 代理人 | 江釗芳 |
| 地址 | 430072湖北省武漢市武昌華光大道8號(hào)3－402 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本實(shí)用新型涉及一種用于快速制備氮化鎵薄膜的裝置，真空室內(nèi)安裝有中頻磁控濺射裝置和陽(yáng)極層離子源，設(shè)有旋轉(zhuǎn)基片架，基片架接有負(fù)偏壓和加熱控制系統(tǒng)。磁控濺射靶池接中頻開(kāi)關(guān)電源，靶池內(nèi)裝有液態(tài)鎵，受靶池背面水冷卻而變成固體。陽(yáng)極層離子源水平安裝且與磁控濺射靶平行，配備有可調(diào)電源，陽(yáng)極層離子源通過(guò)導(dǎo)磁板安裝有內(nèi)陰極、外陰極、陽(yáng)極、外極靴與內(nèi)極靴。中頻磁控濺射裝置和陽(yáng)極層離子源的結(jié)合，使鍍膜區(qū)的等離子體密度大幅度提高，快速沉積氮化鎵，同時(shí)增強(qiáng)氮化鎵與基片材料的附著力，最終快速完成氮化鎵薄膜制備。本裝置最適合用于需在較低溫度下完成的平板薄膜、晶體管顯示器以及太陽(yáng)電池等器件的氮化鎵薄膜制備。 |
