一種用于快速制備氮化鎵薄膜的裝置

基本信息

申請?zhí)?/td> CN200820065545.0 申請日 -
公開（公告）號 CN201169619Y 公開（公告）日 2008-12-24
申請公布號 CN201169619Y 申請公布日 2008-12-24
分類號 C23C14/35(2006.01);C23C14/06(2006.01);C01G15/00(2006.01) 分類 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學(xué)處理；金屬材料的擴散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 余益飛;何俊;付德君 申請（專利權(quán)）人 武漢新鉻涂層設(shè)備有限公司
代理機構(gòu) 武漢華旭知識產(chǎn)權(quán)事務(wù)所 代理人 江釗芳
地址 430072湖北省武漢市武昌華光大道8號3－402
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型涉及一種用于快速制備氮化鎵薄膜的裝置，真空室內(nèi)安裝有中頻磁控濺射裝置和陽極層離子源，設(shè)有旋轉(zhuǎn)基片架，基片架接有負(fù)偏壓和加熱控制系統(tǒng)。磁控濺射靶池接中頻開關(guān)電源，靶池內(nèi)裝有液態(tài)鎵，受靶池背面水冷卻而變成固體。陽極層離子源水平安裝且與磁控濺射靶平行，配備有可調(diào)電源，陽極層離子源通過導(dǎo)磁板安裝有內(nèi)陰極、外陰極、陽極、外極靴與內(nèi)極靴。中頻磁控濺射裝置和陽極層離子源的結(jié)合，使鍍膜區(qū)的等離子體密度大幅度提高，快速沉積氮化鎵，同時增強氮化鎵與基片材料的附著力，最終快速完成氮化鎵薄膜制備。本裝置最適合用于需在較低溫度下完成的平板薄膜、晶體管顯示器以及太陽電池等器件的氮化鎵薄膜制備。