半導(dǎo)體復(fù)合晶圓及制造方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202010734727.8 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN111952151A | 公開(kāi)（公告）日 | 2020-11-17 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN111952151A | 申請(qǐng)公布日 | 2020-11-17 |
| 分類(lèi)號(hào) | H01L21/02 | 分類(lèi) | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 萬(wàn)明 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 | 蘇州賽萬(wàn)玉山智能科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 南京艾普利德知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙) | 代理人 | 蘇州賽萬(wàn)玉山智能科技有限公司 |
| 地址 | 215311 江蘇省蘇州市昆山市巴城鎮(zhèn)石牌相石路1599號(hào)6號(hào)房 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體復(fù)合晶圓，所述半導(dǎo)體復(fù)合晶圓包括一單晶晶圓層，所述單晶晶圓層具有第一厚度，背面復(fù)合有陶瓷材料層，所述陶瓷材料層具有第二厚度，與所述單晶晶圓層同質(zhì)。由于所述陶瓷材料層與所述單晶晶圓層同質(zhì)，所以兩者將擁有相同的熱膨脹系數(shù)，后續(xù)在所述半導(dǎo)體復(fù)合晶圓上進(jìn)行外延及芯片制作將無(wú)需特別更改工藝，芯片制作完全后背面減薄主要是將所述半導(dǎo)體復(fù)合晶圓中的陶瓷材料層減薄去除，保留相應(yīng)的單晶晶圓層以及可能的外延層材料即可。所述半導(dǎo)體復(fù)合晶圓中的單晶晶圓層的厚度遠(yuǎn)小于一般純單晶晶圓的厚度，極大地提高單晶材料的利用率，節(jié)省了大量昂貴的單晶材料，同時(shí)也降低了相應(yīng)的晶圓以及芯片加工成本。 |
