一種納米級單晶三元正極材料前驅體、單晶三元正極材料及制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110444189.3 申請日 -
公開（公告）號 CN113249777A 公開（公告）日 2021-08-13
申請公布號 CN113249777A 申請公布日 2021-08-13
分類號 C30B9/12（2006.01）I;C30B29/22（2006.01）I;H01M4/505（2010.01）I;H01M4/525（2010.01）I;H01M10/0525（2010.01）I 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 喬水伶;李崇;呂明;王慧萍;方向乾;曹壯;高峰;楊欣 申請（專利權）人 陜西彩虹新材料有限公司
代理機構 西安通大專利代理有限責任公司 代理人 李鵬威
地址 712021陜西省咸陽市彩虹二路陜西彩虹新材料有限公司
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種納米級單晶三元正極材料前驅體、單晶三元正極材料及制備方法，包括：將鎳、鈷和錳金屬單質納米粉末和助熔劑按比例混合分散均勻；將分散均勻后的物料在第一溫度曲線下進行燒結；將燒結后的物料自然冷卻至室溫，經過破碎和過篩，得到納米級單晶三元正極材料前驅體。本發(fā)明制備過程中避免了產生副產物氣體，工藝簡單且成本低。