一種晶圓表面處理方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202111269451.1 申請日 -
公開（公告）號 CN114664657A 公開（公告）日 2022-06-24
申請公布號 CN114664657A 申請公布日 2022-06-24
分類號 H01L21/324（2006.01）I;H01L21/67（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 魏星;戴榮旺;汪子文;薛忠營;陳猛;徐洪濤 申請（專利權(quán)）人 中國科學院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所
代理機構(gòu) 上海泰博知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 -
地址 200050上海市長寧區(qū)長寧路865號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種晶圓表面處理方法。本發(fā)明通過控制處理過程中各個階段的氣體配置以及相應的升溫退火和降溫氧化減薄過程，使最終晶圓表面粗糙度小于5A，有效減少了最終處理工藝成本，具有良好的應用前景。