一種三維納米結(jié)構(gòu)制作方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202011534571.5 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN114660900A | 公開（公告）日 | 2022-06-24 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN114660900A | 申請(qǐng)公布日 | 2022-06-24 |
| 分類號(hào) | G03F7/20（2006.01）I;G03F7/16（2006.01）I;G03F7/095（2006.01）I;G03F7/40（2006.01）I;G03F7/30（2006.01）I;G03F7/004（2006.01）I;B82Y40/00（2011.01）I | 分類 | 攝影術(shù)；電影術(shù)；利用了光波以外其他波的類似技術(shù)；電記錄術(shù)；全息攝影術(shù)〔4〕; |
| 發(fā)明人 | 陶虎;秦楠 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 中國(guó)科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 廣州三環(huán)專利商標(biāo)代理有限公司 | 代理人 | - |
| 地址 | 200050上海市長(zhǎng)寧區(qū)長(zhǎng)寧路865號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本申請(qǐng)公開了一種三維納米結(jié)構(gòu)制作方法，包括以下步驟：提供基底；在所述基底上設(shè)置光刻材料形成與三維納米結(jié)構(gòu)尺寸對(duì)應(yīng)的薄膜；基于預(yù)先輸入的三維納米結(jié)構(gòu)圖形使用電子束對(duì)所述薄膜中設(shè)定的區(qū)域進(jìn)行電子束三維直寫曝光得到待顯影三維納米結(jié)構(gòu)；對(duì)所述待顯影三維納米結(jié)構(gòu)顯影定影得到與所述三維納米結(jié)構(gòu)圖形對(duì)應(yīng)的三維納米結(jié)構(gòu)。本發(fā)明能夠?qū)崿F(xiàn)在優(yōu)于100nm（甚至≤15nm）的分辨率下在平面或者曲面基底上利用電子束方便、快速直寫懸浮、鏤空、大深寬比等基于上述光刻材料的復(fù)雜三微納米結(jié)構(gòu)。 |
