一種NiGe/n-Ge肖特基二極管的制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202210185094.9 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN114678272A 公開（公告）日 2022-06-28
申請(qǐng)公布號(hào) CN114678272A 申請(qǐng)公布日 2022-06-28
分類號(hào) H01L21/329（2006.01）I;H01L29/872（2006.01）I;H01L29/47（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 張波;丁華俊;薛忠營(yíng);魏星 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 中國(guó)科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所
代理機(jī)構(gòu) 上海泰博知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 -
地址 200050上海市長(zhǎng)寧區(qū)長(zhǎng)寧路865號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種NiGe/n?Ge肖特基二極管的制備方法。該方法包括：將Ge片作為襯底，預(yù)處理；然后Ge片上長(zhǎng)隔離層，光刻出圖形，再經(jīng)過一次光刻；依次蒸鍍Al和Ni，然后去除不在圖形內(nèi)的金屬；退火，再去除多余的Ni，蒸鍍正反電極。該方法可以有效緩解費(fèi)米能級(jí)釘扎效應(yīng)，降低NiGe/n?Ge肖特基勢(shì)壘高度，并且使得NiGe在400℃到600℃保持熱穩(wěn)定性。