有效抑制氧化鎵晶體缺陷的生長裝置

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202120460762.5 申請日 -
公開（公告）號 CN215668280U 公開（公告）日 2022-01-28
申請公布號 CN215668280U 申請公布日 2022-01-28
分類號 C30B15/00（2006.01）I;C30B28/10（2006.01）I;C30B29/16（2006.01）I;B01D46/12（2006.01）I 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 吳新功;吳義凱;田京生 申請（專利權）人 珠海經濟特區(qū)方源有限公司
代理機構 深圳至誠化育知識產權代理事務所（普通合伙） 代理人 劉英
地址 519031廣東省珠海市香洲區(qū)寶南路317號方源大廈四層401、402、403、404、405、407室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型公開了有效抑制氧化鎵晶體缺陷的生長裝置，包括保溫筒、坩堝和保溫蓋，還包括避免雜質影響設備損壞的過濾結構、便于觀察晶體生長的觀察結構和保證晶體生長質量的抑制結構，所述保溫筒內部底端的中間位置處安裝有坩堝，且坩堝的內部設置有保護層，所述坩堝下方的保溫筒內部底端設置有熱電偶，且保溫筒內部的下端等角度安裝有加熱器，所述觀察結構設置在保溫筒一側的上端，所述保溫筒另一側的上端開設有換氣管，且過濾結構設置在換氣管的內部，所述保溫筒的頂端設置有保溫蓋。本實用新型通過設置可調節(jié)的保溫筒，使得后續(xù)抽真空速率更快，且保證保溫筒內部的密封性，避免外部氣體進入導致晶體的污染，進而降低晶體的質量。