有效抑制氧化鎵晶體缺陷的生長(zhǎng)裝置

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202120460762.5 申請(qǐng)日 -
公開(公告)號(hào) CN215668280U 公開(公告)日 2022-01-28
申請(qǐng)公布號(hào) CN215668280U 申請(qǐng)公布日 2022-01-28
分類號(hào) C30B15/00(2006.01)I;C30B28/10(2006.01)I;C30B29/16(2006.01)I;B01D46/12(2006.01)I 分類 晶體生長(zhǎng)〔3〕;
發(fā)明人 吳新功;吳義凱;田京生 申請(qǐng)(專利權(quán))人 珠海經(jīng)濟(jì)特區(qū)方源有限公司
代理機(jī)構(gòu) 深圳至誠(chéng)化育知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 代理人 劉英
地址 519031廣東省珠海市香洲區(qū)寶南路317號(hào)方源大廈四層401、402、403、404、405、407室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型公開了有效抑制氧化鎵晶體缺陷的生長(zhǎng)裝置,包括保溫筒、坩堝和保溫蓋,還包括避免雜質(zhì)影響設(shè)備損壞的過濾結(jié)構(gòu)、便于觀察晶體生長(zhǎng)的觀察結(jié)構(gòu)和保證晶體生長(zhǎng)質(zhì)量的抑制結(jié)構(gòu),所述保溫筒內(nèi)部底端的中間位置處安裝有坩堝,且坩堝的內(nèi)部設(shè)置有保護(hù)層,所述坩堝下方的保溫筒內(nèi)部底端設(shè)置有熱電偶,且保溫筒內(nèi)部的下端等角度安裝有加熱器,所述觀察結(jié)構(gòu)設(shè)置在保溫筒一側(cè)的上端,所述保溫筒另一側(cè)的上端開設(shè)有換氣管,且過濾結(jié)構(gòu)設(shè)置在換氣管的內(nèi)部,所述保溫筒的頂端設(shè)置有保溫蓋。本實(shí)用新型通過設(shè)置可調(diào)節(jié)的保溫筒,使得后續(xù)抽真空速率更快,且保證保溫筒內(nèi)部的密封性,避免外部氣體進(jìn)入導(dǎo)致晶體的污染,進(jìn)而降低晶體的質(zhì)量。