扇出型晶圓級封裝方法及封裝結(jié)構(gòu)

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202210157206.X 申請日 -
公開（公告）號 CN114551257A 公開（公告）日 2022-05-27
申請公布號 CN114551257A 申請公布日 2022-05-27
分類號 H01L21/56（2006.01）I;H01L23/31（2006.01）I;H01L25/07（2006.01）I;H01L21/60（2006.01）I;H01L23/488（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 郝兵;姚輝軒 申請（專利權(quán)）人 江蘇卓勝微電子股份有限公司
代理機構(gòu) 華進聯(lián)合專利商標代理有限公司 代理人 -
地址 214123江蘇省無錫市濱湖區(qū)建筑西路777號A3幢11層
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及嵌入式扇出型晶圓級芯片封裝技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及了一種扇出型晶圓級封裝方法及封裝結(jié)構(gòu)，所述方法包括提供襯底晶圓；在襯底晶圓的第一表面上形成第一厚膠層，采用曝光顯影工藝在第一厚膠層內(nèi)形成凹槽；提供芯片，將芯片鍵合于凹槽內(nèi)；芯片形成有焊盤的正面遠離凹槽的底部；芯片的厚度大于凹槽的厚度；至少在第一厚膠層遠離襯底晶圓的表面形成第二厚膠層，第二厚膠層覆蓋芯片；在第二厚膠層上形成有第一開口，第一開口暴露出焊盤；在第二厚膠層遠離第一厚膠層的表面形成重布線層，重布線層與焊盤相接觸。在整個制備工藝中使用的是全厚度晶圓，可以保證芯片封裝過程中晶圓的翹曲度保持在較小的范圍內(nèi)，以達到減小晶圓翹曲的目的。