一種硅片研磨盤修正設(shè)備及其修正工藝
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN202010661659.7 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN111761516B | 公開(公告)日 | 2021-09-21 |
申請公布號 | CN111761516B | 申請公布日 | 2021-09-21 |
分類號 | B24B53/017(2012.01)I;B24B57/02(2006.01)I | 分類 | 磨削;拋光; |
發(fā)明人 | 郭兵健;吳曉峰;何國君;劉小磐 | 申請(專利權(quán))人 | 浙江中晶科技股份有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | 杭州西木子知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙) | 代理人 | 韓燕燕 |
地址 | 313100浙江省湖州市長興縣太湖街道陸匯路59號 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明涉及硅片研磨設(shè)備修正加工領(lǐng)域,具體涉及一種硅片研磨盤修正設(shè)備及其修正工藝,包括的上研磨盤系統(tǒng)、下研磨盤系統(tǒng)以及若干設(shè)置于所述上研磨盤系統(tǒng)和下研磨盤系統(tǒng)之間的修整輪,修整輪上的中心缺口處設(shè)置有回噴系統(tǒng),通過在修正輪上設(shè)置回噴機(jī)構(gòu),利用回噴機(jī)構(gòu)將上研磨盤系統(tǒng)與下研磨盤系統(tǒng)吸引之間的研磨液進(jìn)行回收再噴灑利用,充分保證上研磨盤系統(tǒng)與下研磨盤系統(tǒng)之間研磨液的分布均勻,提高研磨效果的同時,減少研磨液的使用,解決現(xiàn)有研磨修正設(shè)備精度低、效率差及污染重的技術(shù)問題。 |
