一種具有改進(jìn)性能的半導(dǎo)體器件

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201811495425.9 申請日 -
公開（公告）號(hào) CN109637971B 公開（公告）日 2021-08-10
申請公布號(hào) CN109637971B 申請公布日 2021-08-10
分類號(hào) H01L21/762 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 彭勇 申請（專利權(quán)）人 合肥市華達(dá)半導(dǎo)體有限公司
代理機(jī)構(gòu) 合肥方舟知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 朱榮
地址 230088 安徽省合肥市高新區(qū)望江西路860號(hào)合蕪蚌實(shí)驗(yàn)區(qū)科技創(chuàng)新公共服務(wù)和應(yīng)用技術(shù)研發(fā)中心B棟六樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種具有改進(jìn)性能的半導(dǎo)體器件，包括一硅襯底，硅襯底具有第一表面、第二表面，其第一表面上依次設(shè)有介電層、第一氧化層、硅頂層、第一掩模層，其第二表面上依次設(shè)有第二氧化層、阻擋層、第二掩模層，介電層上設(shè)有貫穿其的阱區(qū)，阱區(qū)內(nèi)填充有氮化物，阻擋層上設(shè)有貫穿其的凹陷區(qū)，凹陷區(qū)內(nèi)部進(jìn)行真空處理。本發(fā)明通過將阱區(qū)設(shè)置在介電層上，且填充氮化物，使得介電層降低對半導(dǎo)體器件形成過程的影響，同時(shí)阱區(qū)的設(shè)置，避免硅襯底與硅頂層間形成的固有結(jié)電容對硅襯底中載流子的影響，進(jìn)而提高信號(hào)通過半導(dǎo)體器件的效率，且降低信號(hào)的失真率。