一種銅銦鎵硒薄膜太陽能電池光電吸收轉換層的制備方法
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN201610410939.4 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN105810764A | 公開(公告)日 | 2016-07-27 |
申請公布號 | CN105810764A | 申請公布日 | 2016-07-27 |
分類號 | H01L31/032(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I;C23C14/24(2006.01)I;C23C14/34(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
發(fā)明人 | 陳良范;孫嵩泉;甄永泰 | 申請(專利權)人 | 安徽恒致銅銦鎵硒技術有限公司 |
代理機構 | 蚌埠鼎力專利商標事務所有限公司 | 代理人 | 張建宏 |
地址 | 233030 安徽省蚌埠市湯和路268號 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 一種銅銦鎵硒薄膜太陽能電池光電吸收轉換層的制備方法,其基本步驟按順序依次為:1)用物理真空濺射沉積薄膜的方法沉積一層銅鎵合金薄膜。2)將上述銅鎵薄膜在真空蒸發(fā)鍍膜的硒蒸汽環(huán)境中硒化處理。3)在硒化處理后的薄膜上用真空共蒸發(fā)法沉積銦和硒元素。4)最后用真空蒸發(fā)法在上述薄膜之上沉積少量的鎵以調節(jié)銅銦鎵硒薄膜太陽能電池光電吸收轉換層的電學性能。 |
