一種溝槽式電容器件及制備方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202011510217.9 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN112635440A | 公開（公告）日 | 2021-04-09 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN112635440A | 申請(qǐng)公布日 | 2021-04-09 |
| 分類號(hào) | H01L23/64;H01L49/02 | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 顧學(xué)強(qiáng) | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 上海微阱電子科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 上海天辰知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（特殊普通合伙） | 代理人 | 陶金龍;吳世華 |
| 地址 | 201203 上海市浦東新區(qū)中國(guó)（上海）自由貿(mào)易試驗(yàn)區(qū)芳春路400號(hào)1幢3層 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明提供一種溝槽式電容器件的制備方法，溝槽電容區(qū)包括若干溝槽以及電容結(jié)構(gòu)，所述溝槽貫穿第一介質(zhì)層且終止于第一金屬互連層，所述電容結(jié)構(gòu)位于所述第一介質(zhì)層上且填充所述溝槽；具有第一開口的第二介質(zhì)層，貫穿第二介質(zhì)層和所述第一介質(zhì)層且終止于所述第二金屬互連層的第二開口，填充所述第一開口和所述第二開口的電極互連層。本發(fā)明的所述第一開口的靠近所述第二開口的一側(cè)側(cè)壁與所述第二開口的一側(cè)側(cè)壁的側(cè)壁延長(zhǎng)線重疊，本發(fā)明使得所述第二開口的深度進(jìn)一步增加，且縮小了第二開口的開口尺寸，從而有效提升單位面積的電容值，形成高性能的溝槽式電容器件，具有顯著的意義。 |
