一種堆疊式深耗盡圖像傳感器像素單元結構及制作方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201910560969.7 申請日 -
公開（公告）號 CN110289277B 公開（公告）日 2021-12-14
申請公布號 CN110289277B 申請公布日 2021-12-14
分類號 H01L27/146（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 顧學強 申請（專利權）人 上海微阱電子科技有限公司
代理機構 上海天辰知識產(chǎn)權代理事務所（特殊普通合伙） 代理人 陶金龍;張磊
地址 201203上海市浦東新區(qū)中國（上海）自由貿易試驗區(qū)芳春路400號1幢3層
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種堆疊式深耗盡圖像傳感器像素單元結構，包括設有P阱的第一硅片和設有箝位式光電二極管的第二硅片，第一硅片上設有第一后道介質層，第一后道介質層中設有第一金屬互連層，第二硅片上設有第二后道介質層，第二硅片背面上像素單元的部分區(qū)域設有P注入襯底，第一硅片和第二硅片之間通過第一、第二后道介質層的鍵合而堆疊在一起，導電硅穿孔的上端與第一金屬互連層電連接，下端穿過第一后道介質層、第二后道介質層及第二硅片進行電學引出，能有效防止在P阱和P注入襯底之間加不同電位時可能形成漏電通道的問題，提升了圖像傳感器的性能。本發(fā)明還公開了一種堆疊式深耗盡圖像傳感器像素單元結構的制作方法。