一種高速動態(tài)鎖存型比較器、芯片及通信終端
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN201810242985.7 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN108494406A | 公開(公告)日 | 2018-09-04 |
申請公布號 | CN108494406A | 申請公布日 | 2018-09-04 |
分類號 | H03M1/34;H03M1/00 | 分類 | 基本電子電路; |
發(fā)明人 | 林升;白云芳 | 申請(專利權(quán))人 | 上海唯捷創(chuàng)芯電子技術(shù)有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | 北京汲智翼成知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) | 代理人 | 上海唯捷創(chuàng)芯電子技術(shù)有限公司 |
地址 | 201203 上海市浦東新區(qū)張江高科技園區(qū)碧波路572弄116號13號樓 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明公開了一種高速動態(tài)鎖存型比較器、芯片及通信終端。該高速動態(tài)鎖存型比較器包括偏置模塊、輸入模塊、交叉耦合鎖存模塊、第一復(fù)位模塊、第二復(fù)位模塊、第一輸出模塊和第二輸出模塊,偏置模塊與輸入模塊連接,輸入模塊分別與交叉耦合鎖存模塊、第一輸出模塊和第二輸出模塊連接,交叉耦合鎖存模塊與第一復(fù)位模塊和第二復(fù)位模塊連接。在本高速動態(tài)鎖存型比較器中,將輸入模塊的第二PMOS晶體管和第三PMOS晶體管的襯底端分別作為同相輸入端和反相輸入端,并利用第二PMOS晶體管和第三PMOS晶體管的柵跨導(dǎo)和襯底偏置效應(yīng)引入的背柵跨導(dǎo)提升該高速動態(tài)鎖存型比較器的響應(yīng)速度。 |
