對薄膜金屬材料上電子束曝光臨近效應(yīng)的改善方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN200910032300.7 申請日 -
公開（公告）號 CN101691205B 公開（公告）日 2012-02-29
申請公布號 CN101691205B 申請公布日 2012-02-29
分類號 B82B3/00(2006.01)I 分類 超微技術(shù)〔7〕;
發(fā)明人 時文華;王逸群;曾春紅;張寶順 申請（專利權(quán)）人 佛山中科微納科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 南京蘇科專利代理有限責(zé)任公司 代理人 中國科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所;佛山中科微納科技有限公司
地址 215123 江蘇省蘇州市工業(yè)園區(qū)若水路398號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種對薄膜金屬材料上電子束曝光臨近效應(yīng)的改善方法，先對SOI襯底的底層Si進(jìn)行厚度削減及拋光；再在其頂層Si生長薄膜金屬；并對其正反面覆蓋刻蝕阻擋層；對底層Si進(jìn)行光刻或結(jié)合刻蝕，形成刻蝕窗口，并深度刻蝕至埋層SiO2，形成基于埋層SiO2的背面深孔與正面薄膜結(jié)構(gòu)；去除SOI襯底上剩余的刻蝕阻擋層后在薄膜金屬表面涂覆電子束抗蝕劑，并進(jìn)行電子束直寫曝光、顯影、定影，得到所需的極限納米級圖形。藉由以SOI作為薄膜金屬的襯底材料，并對SOI面向所需圖形生成區(qū)域的背面進(jìn)行深度刻蝕的工藝，極大地降低了電子束臨近效應(yīng)的不利影響，為在金屬薄膜材料上生成極限納米級圖形提供了一種實(shí)施簡便、圖形精度高且成本低廉的電子束曝光改善方法。