垂直溫度梯度泡生法生長大尺寸高溫氧化物晶體的方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN200910197889.6 申請日 -
公開（公告）號 CN102051672A 公開（公告）日 2011-05-11
申請公布號 CN102051672A 申請公布日 2011-05-11
分類號 C30B15/00(2006.01)I;C30B11/00(2006.01)I;C30B17/00(2006.01)I;C30B29/16(2006.01)I 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 黃小衛(wèi) 申請（專利權(quán)）人 上海元亮光電科技有限公司
代理機構(gòu) - 代理人 -
地址 201800 上海市嘉定區(qū)馬陸鎮(zhèn)嘉戩公路328號6幢底層
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種垂直溫度梯度泡生法生長大尺寸高溫氧化物晶體的方法，涉及晶體生長新工藝，在泡生法的基礎(chǔ)上，結(jié)合提拉法(CZ)、熱交換法(HEM)、溫梯法(TGT)和坩堝下降法的優(yōu)點，包括提拉結(jié)構(gòu)，在所述的提拉結(jié)構(gòu)下與爐蓋和爐膛相連，所述的爐膛中設(shè)置有法蘭座、金屬發(fā)熱體、保溫罩和坩堝，在所述的法蘭座下固定環(huán)狀組合保溫層，所述的坩堝下設(shè)置坩堝托和坩堝托桿用于支撐坩堝，所述坩堝托桿外包裹下保溫罩。通過創(chuàng)造一個可調(diào)節(jié)溫度梯度和溫場中心的特殊高溫真空晶體爐，生產(chǎn)出大尺寸高溫氧化物晶體。有益效果是利用最低的能耗和最低的成本制造出多種高品質(zhì)高溫氧化物晶體材料。