提拉法生長(zhǎng)鋱鎵石榴石(TGG)晶體的裝置及其方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN200810041543.2 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN101649486B 公開（公告）日 2013-03-20
申請(qǐng)公布號(hào) CN101649486B 申請(qǐng)公布日 2013-03-20
分類號(hào) C30B15/00(2006.01)I;C30B29/28(2006.01)I 分類 晶體生長(zhǎng)〔3〕;
發(fā)明人 柳祝平;袁新強(qiáng);黃小衛(wèi) 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 上海元亮光電科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) - 代理人 -
地址 214037 江蘇省無錫市江海西路金山北科技園金山四支路9號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種生產(chǎn)提拉法生長(zhǎng)鋱鎵石榴石(TGG)晶體的裝置及其方法，涉及晶體生長(zhǎng)領(lǐng)域，主要包括一稱量裝置、一旋轉(zhuǎn)裝置、一加熱裝置和一開孔三坩堝。通過在制備裝置上經(jīng)過原料準(zhǔn)備、第一次加料、補(bǔ)給料生長(zhǎng)后生成。有益效果是補(bǔ)給料的熔化吸熱過程對(duì)晶體生長(zhǎng)區(qū)溫場(chǎng)影響小，有效降低了熔液長(zhǎng)時(shí)間處于高溫而引起的揮發(fā)對(duì)組分的影響。