一種用于提拉法生長鋱鎵石榴石晶體的原料合成方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN200910056546.8 申請日 -
公開（公告）號 CN101649488B 公開（公告）日 2013-03-20
申請公布號 CN101649488B 申請公布日 2013-03-20
分類號 C30B29/28 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 柳祝平;裴廣慶;黃小衛(wèi);王有明 申請（專利權(quán)）人 上海元亮光電科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) - 代理人 -
地址 214037江蘇省無錫市江海西路金山北科技園金山四支路9號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種用于提拉法生長鋱鎵石榴石晶體的原料合成方法，包括以下步驟：a.將氧化鎵(Ga2O3)溶于硝酸溶液得到硝酸鎵溶液；b.將氧化鋱(Tb4O7)溶于硝酸溶液得到硝酸鋱溶液；c.將上述兩種溶液按照Ga∶Tb＝3∶5的摩爾比進(jìn)行充分的混合，得到混合溶液A；d.配制一定量的2.5mol/L的氨水溶液B；e.將混合溶液A和氨水溶液按照相同的流量同時滴入一大型容器中，使得溶液pH值維持在9～11之間，直到溶液沉淀完全；f.將上述沉淀靜置一定的時間后，依序進(jìn)行洗滌、過濾、再沉淀；g.將再沉淀好的鋱鎵石榴石前趨物進(jìn)行烘干、壓片；h.對壓好片的鋱鎵石榴石在高溫下燒結(jié)適當(dāng)?shù)臅r間。采用本發(fā)明獲得的鋱鎵石榴石原料可用于提拉法生長單晶體，得到的晶體質(zhì)量好，無明顯的開裂、散射、條紋和黑點，且鋱鎵石榴石晶體加工成品率高。