一種激光切割硅晶片的方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202111668297.5 申請日 -
公開（公告）號 CN114083155A 公開（公告）日 2022-02-25
申請公布號 CN114083155A 申請公布日 2022-02-25
分類號 B23K26/38（2014.01）I;B23K26/402（2014.01）I;B23K26/70（2014.01）I 分類 機床；不包含在其他類目中的金屬加工;
發(fā)明人 蔣仕彬 申請（專利權）人 杭州銀湖激光科技有限公司
代理機構 蘇州創(chuàng)元專利商標事務所有限公司 代理人 陶海鋒
地址 311400浙江省杭州市富陽區(qū)銀湖街道富閑路9號銀湖創(chuàng)新中心6號十三層1317室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種激光切割硅晶片的方法，其特征在于包括以下步驟：（1）提供一波長在2.0±0.2微米的光纖激光器，光纖激光器輸出脈沖寬度不大于100納秒的脈沖激光束；（2）將脈沖激光束透過待切割硅晶片聚焦至底面，自下而上移動聚焦點形成一個縱向裂紋；（3）移動聚焦點至切割軌跡的下一個位置；（4）重復步驟（2）和步驟（3），直至形成切割包絡；（5）裂片，完成對硅晶片的切割。本發(fā)明減小了熱影響區(qū)，特別適合于對光伏電池使用的硅晶片的切割。