一種高密度高速存儲板卡
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN201620993169.6 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN206147601U | 公開(公告)日 | 2017-05-03 |
申請公布號 | CN206147601U | 申請公布日 | 2017-05-03 |
分類號 | G06F13/16(2006.01)I | 分類 | 計(jì)算;推算;計(jì)數(shù); |
發(fā)明人 | 吳惠陽 | 申請(專利權(quán))人 | 西安輝道電子科技有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | 北京挺立專利事務(wù)所(普通合伙) | 代理人 | 葉樹明 |
地址 | 710000 陜西省西安市雁塔區(qū)太白南路373號新長城大廈1幢1單元23層12311室 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本實(shí)用新型公開了一種高密度高速存儲板卡,包括NAND?Flash陣列模塊、FPGA模塊、配置芯片模塊、電源管理模塊以及接口模塊,存儲板通過FPGA模塊實(shí)現(xiàn)了對NAND?Flash陣列模塊的并行流水讀寫,達(dá)到單板最大3TB容量、存儲帶寬1.5GB/s的存儲系統(tǒng),具有單板高密度、高速訪問的特點(diǎn),并且上位機(jī)能夠通過PCIe或者SATA接口控制訪問存儲系統(tǒng),本實(shí)用新型還具有系統(tǒng)易于集成,數(shù)據(jù)通信速率高的優(yōu)點(diǎn),可應(yīng)用于雷達(dá)高速數(shù)據(jù)采集存儲、半實(shí)物仿真等領(lǐng)域?qū)?shù)據(jù)存儲容量和存儲帶寬要求較高的場合。 |
