一種TMAH系各向異性硅蝕刻液及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201911250769.8 申請日 -
公開（公告）號 CN111440613A 公開（公告）日 2020-07-24
申請公布號 CN111440613A 申請公布日 2020-07-24
分類號 C09K13/00(2006.01)I 分類 -
發(fā)明人 胡濤;邢攸美;高立江;王小眉;李玉興;王小棟;尹云艦;方偉華;施珂 申請（專利權）人 杭州格林達電子材料股份有限公司
代理機構 北京志霖恒遠知識產權代理事務所（普通合伙） 代理人 杭州格林達電子材料股份有限公司
地址 311228浙江省杭州市蕭山區(qū)紅十五路9936號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種TMAH系各向異性硅蝕刻液及其制備方法，所述蝕刻液包括18～25％重量份電子級四甲基氫氧化銨，3～10％重量份電子級四乙基氫氧化銨，1.3～2.8％重量份添加劑，0.01～0.2％重量份表面活性劑和剩余組分高純水，上述各組分重量份總和為100％，其中所述添加劑包括1～2％重量份揮發(fā)劑和0.3～0.8％重量份催化劑，所述催化劑包括0.1～0.3％重量份調整蝕刻速度的催化劑、0.2～0.5％重量份改善硅表面平整度的催化劑。其制備方法包括在混配釜中加入電子級四甲基氫氧化銨、在不斷攪拌條件下加入電子級四乙基氫氧化銨、添加劑、表面活性劑和余量水，并循環(huán)過濾3h以上。本發(fā)明制備的一種TMAH系各向異性硅蝕刻液具有較好的蝕刻精細度、蝕刻速率及蝕刻后硅片表面平整度。??