高光效紫外LED外延結(jié)構(gòu)
基本信息
申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201911210984.5 | 申請(qǐng)日 | - |
公開(公告)號(hào) | CN111063772A | 公開(公告)日 | 2020-04-24 |
申請(qǐng)公布號(hào) | CN111063772A | 申請(qǐng)公布日 | 2020-04-24 |
分類號(hào) | H01L33/14;H01L33/04;H01L33/32 | 分類 | 基本電氣元件; |
發(fā)明人 | 付羿;劉衛(wèi) | 申請(qǐng)(專利權(quán))人 | 江西晶亮光電科技協(xié)同創(chuàng)新有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | - | 代理人 | - |
地址 | 330096 江西省南昌市高新開發(fā)區(qū)艾溪湖北路699號(hào) | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明提供了一種高光效紫外LED外延結(jié)構(gòu),包括:在生長襯底表面依次生長的應(yīng)力控制層、n型電流擴(kuò)展層、有源區(qū)發(fā)光層、電子阻擋層及p型電流擴(kuò)展層;其中,電子阻擋層為由ScaAl1?aN層和GaN層形成的周期性結(jié)構(gòu),0.15aAl1?aN層和GaN層形成的周期性結(jié)構(gòu))中,很薄的ScAlN層就可以產(chǎn)生很大的自發(fā)極化電場(chǎng)致GaN層的能帶足夠彎曲,從而降低Mg的激活能,獲得高濃度空穴,有效提高LED的光電效率。 |
