GaN基紫外LED外延結(jié)構(gòu)

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201911210806.2 申請日 -
公開（公告）號 CN111129243A 公開（公告）日 2020-05-08
申請公布號 CN111129243A 申請公布日 2020-05-08
分類號 H01L33/32;H01L33/30;H01L33/06;H01L33/00 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 付羿;劉衛(wèi) 申請（專利權）人 江西晶亮光電科技協(xié)同創(chuàng)新有限公司
代理機構(gòu) - 代理人 -
地址 330096 江西省南昌市高新開發(fā)區(qū)艾溪湖北路699號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種GaN基紫外LED的外延結(jié)構(gòu)，包括：在生長襯底表面依次生長的應力控制層、n型電流擴展層、有源區(qū)發(fā)光層及p型電流擴展層；其中，有源區(qū)發(fā)光層為由InaGa1?aN量子阱層和AlGaN突變階梯勢壘層形成的周期性結(jié)構(gòu)；其中，0.01