一種溴化銀電極及其制備方法
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN201810300454.9 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN108760862B | 公開(公告)日 | 2018-11-06 |
申請公布號 | CN108760862B | 申請公布日 | 2018-11-06 |
分類號 | G01N27/333(2006.01)I | 分類 | - |
發(fā)明人 | 黃元鳳;王秋瑾;謝亞平;張冰;劉丹;王震;李士波;葉瑛;曹懷祥;秦華偉;張平萍 | 申請(專利權)人 | 山東金特昂萊測控技術有限公司 |
代理機構 | 杭州求是專利事務所有限公司 | 代理人 | 傅朝棟;張法高 |
地址 | 250000山東省濟南市歷城區(qū)港興一路2991號 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明公開了一種溴化銀電極及其制備方法,屬于離子電極領域。該電極以惰性金屬絲為基材,惰性金屬絲表面包覆有納米銀顆粒層,納米銀顆粒層表面通過電鍍方式鍍有AgBr敏感膜。本發(fā)明相對于現有技術而言,制備了一種全固態(tài)、高靈敏度的溴離子電極,能夠準確檢測溶液中的溴離子濃度。而對溴離子電極進行進一步的硫化處理后,會增強溴離子電極的穩(wěn)定性和抗干擾性。?? |
