改善金屬氧化物薄膜方阻均勻性的PVD腔體結(jié)構(gòu)

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201611169570.9 申請日 -
公開（公告）號 CN106756790B 公開（公告）日 2018-12-25
申請公布號 CN106756790B 申請公布日 2018-12-25
分類號 C23C14/08;C23C14/35 分類 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學(xué)處理；金屬材料的擴散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 林曉東;李成強 申請（專利權(quán)）人 中科微機電技術(shù)（北京）有限公司
代理機構(gòu) 北京酷愛智慧知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 安娜
地址 100085 北京市海淀區(qū)安寧莊路23號2幢六層6161室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提出一種改善金屬氧化物薄膜方阻均勻性的PVD腔體結(jié)構(gòu)，包括：腔體、驅(qū)動裝置、磁性件、靶材、上擋板、下?lián)醢?、晶片等；上擋板呈倒錐形筒狀，上擋板的外沿架設(shè)在腔體的開口處，且上擋板的底端低于基座壓環(huán)的上表面；腔體開設(shè)有氧氣進口，進口處安裝有進氣環(huán)，氣環(huán)分為外環(huán)和內(nèi)環(huán)，外環(huán)是一個進氣口，分開兩個出氣口，分開的兩路孔連接內(nèi)環(huán)，內(nèi)環(huán)的孔對稱分布。本發(fā)明的腔體結(jié)構(gòu)，氣體進入腔體后不會立即從上、下?lián)醢逯g的縫隙中抽走，氣體下抽的過程中，氣流會有一個向中心方向的矢量，提高了晶圓中心的反應(yīng)氣體濃度；將混合進氣改為單獨進氣，氣流分布均勻，彌散性更好，氧氣和氬氣進氣口分開，氬氣能更好的攪拌氧氣，使氧氣分布更均勻。