一種IGBT模塊

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201910908441.4 申請日 -
公開（公告）號 CN110931471A 公開（公告）日 2020-03-27
申請公布號 CN110931471A 申請公布日 2020-03-27
分類號 H01L25/07;H02H3/20;H02H7/20 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 車蘭秀;徐之文;薛英杰;邱瑞鑫 申請（專利權）人 廣州華工科技開發(fā)有限公司
代理機構 佛山市廣盈專利商標事務所（普通合伙） 代理人 李俊
地址 510000 廣東省廣州市天河區(qū)石牌華南理工大學內
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種IGBT模塊，屬于功率半導體模塊技術領域，包括外殼與底板以及集電路板，集電路板的上端安裝有至少兩個檢測器；兩個檢測器為第一檢測器與第二檢測器，第一檢測器與第二檢測器并聯(lián)后與集電路板串聯(lián)，用于檢測不同區(qū)域的電壓是否過高；第一檢測器串聯(lián)有V2電壓表，并聯(lián)有R2電阻；第一檢測器檢測到對應區(qū)域的電壓過高側R2電阻對應的S2閉合，形成第一檢測器短路；第二檢測器串聯(lián)有V1電壓表，并聯(lián)有R1電阻；第二檢測器檢測到對應區(qū)域的電壓過高側R1電阻對應的S1閉合，形成第一檢測器短路。通過檢測器可以檢測IGBT模塊內部電壓是否過高，而有效的防止電壓過高燒毀IGBT模塊內部元件，杜絕內部元件與電路起火，造成經(jīng)濟損失。