一種基于IGBT實(shí)現(xiàn)控制的方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201910909742.9 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN110707905B 公開（公告）日 2022-03-18
申請(qǐng)公布號(hào) CN110707905B 申請(qǐng)公布日 2022-03-18
分類號(hào) H02M1/08（2006.01）I;H03K17/567（2006.01）I 分類 發(fā)電、變電或配電;
發(fā)明人 徐之文;薛英杰;邱瑞鑫;車蘭秀 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 廣州華工科技開發(fā)有限公司
代理機(jī)構(gòu) 廣東廣盈專利商標(biāo)事務(wù)所（普通合伙） 代理人 李俊
地址 510000廣東省廣州市天河區(qū)石牌華南理工大學(xué)內(nèi)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種基于IGBT實(shí)現(xiàn)控制的方法，于功率半導(dǎo)體模塊技術(shù)領(lǐng)域，包括DSP控制器、絕緣柵雙極型晶體管芯片、續(xù)流二極管芯片以及電流檢測(cè)器；DSP控制器耦接在電流檢測(cè)器上，用于接收電流檢測(cè)器檢測(cè)的電流信號(hào)與控制信號(hào)；絕緣柵雙極型晶體管芯片的一端還耦接有變頻器，流二極管芯片一端還耦接有不間斷電源。對(duì)流過絕緣柵雙極型晶體管芯片與續(xù)流二極管芯片的電流值，進(jìn)而可以控制電流通過向柵極電壓形成溝道，給PNP晶體管提供基極電流，使IGBT導(dǎo)通，向門極電壓消除溝道，切斷基極電流，進(jìn)而避免GBT內(nèi)元件受損。