一種基于IGBT實現(xiàn)控制的方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201910909742.9 申請日 -
公開（公告）號 CN110707905B 公開（公告）日 2022-03-18
申請公布號 CN110707905B 申請公布日 2022-03-18
分類號 H02M1/08（2006.01）I;H03K17/567（2006.01）I 分類 發(fā)電、變電或配電;
發(fā)明人 徐之文;薛英杰;邱瑞鑫;車蘭秀 申請（專利權(quán)）人 廣州華工科技開發(fā)有限公司
代理機構(gòu) 廣東廣盈專利商標(biāo)事務(wù)所（普通合伙） 代理人 李俊
地址 510000廣東省廣州市天河區(qū)石牌華南理工大學(xué)內(nèi)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種基于IGBT實現(xiàn)控制的方法，于功率半導(dǎo)體模塊技術(shù)領(lǐng)域，包括DSP控制器、絕緣柵雙極型晶體管芯片、續(xù)流二極管芯片以及電流檢測器；DSP控制器耦接在電流檢測器上，用于接收電流檢測器檢測的電流信號與控制信號；絕緣柵雙極型晶體管芯片的一端還耦接有變頻器，流二極管芯片一端還耦接有不間斷電源。對流過絕緣柵雙極型晶體管芯片與續(xù)流二極管芯片的電流值，進而可以控制電流通過向柵極電壓形成溝道，給PNP晶體管提供基極電流，使IGBT導(dǎo)通，向門極電壓消除溝道，切斷基極電流，進而避免GBT內(nèi)元件受損。