超薄超平晶片和制備該超薄超平晶片的方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201711458484.4 申請日 -
公開（公告）號 CN109972204B 公開（公告）日 2021-09-17
申請公布號 CN109972204B 申請公布日 2021-09-17
分類號 C30B29/18;C30B29/30;C30B29/64;C30B33/02;C30B33/10 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 朱厚彬;張秀全;胡卉;薛海蛟;李真宇 申請（專利權）人 濟南晶正電子科技有限公司
代理機構 北京銘碩知識產權代理有限公司 代理人 尹淑梅;劉燦強
地址 250101 山東省濟南市高新區(qū)舜華路750號B303-1
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 提供了一種超薄超平晶片以及一種制備超薄超平晶片的方法，所述方法可以包括以下步驟：提供均具有拋光面的襯底基板和目標晶片基板；在襯底基板的拋光面上旋涂保護膠層，然后對襯底基板的與所述拋光面相對的背面進行研磨減?。粚δ繕司搴脱心p薄后的襯底基板進行清洗；將目標晶片基板的拋光面與襯底基板的拋光面直接接觸，以形成鍵合體；對鍵合體中的目標晶片基板進行研磨減薄，并進行拋光處理，以使目標晶片基板達到目標厚度；以及將拋光后的鍵合體浸入選擇性腐蝕溶解溶液，以去除襯底基板，從而得到超薄超平晶片。