一種單晶單疇壓電薄膜及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201910891629.2 申請日 -
公開（公告）號(hào) CN110581212B 公開（公告）日 2021-09-24
申請公布號(hào) CN110581212B 申請公布日 2021-09-24
分類號(hào) H01L41/187;H01L41/253;H01L41/257 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 李真宇;胡文;張秀全;羅具廷;楊超 申請（專利權(quán)）人 濟(jì)南晶正電子科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 山東濟(jì)南齊魯科技專利事務(wù)所有限公司 代理人 張娟
地址 250100 山東省濟(jì)南市高新區(qū)港興三路北段1號(hào)濟(jì)南藥谷研發(fā)平臺(tái)區(qū)1號(hào)樓B座1806室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種單晶單疇壓電薄膜及其制備方法，單晶單疇壓電薄膜依次包括單晶薄膜層、二氧化硅層、介質(zhì)層和單晶硅層；其中單晶薄膜層的材料為單晶鈮酸鋰或單晶鉭酸鋰；介質(zhì)層為單晶硅的損傷層、非晶硅或多晶硅；本發(fā)明的單晶單疇壓電薄膜的壓電系數(shù)為體材料的98%~100%，而采用現(xiàn)有技術(shù)的壓電系數(shù)為體材料的10~90%，單疇單晶薄膜在使用時(shí)壓電性能穩(wěn)定，機(jī)電耦合系數(shù)不會(huì)下降，器件帶寬寬、損耗低，一致性好；本發(fā)明的制備方法成本低、能耗低、效率高，適用于工業(yè)生產(chǎn)，成品率高；所得薄膜中數(shù)十納米的二氧化硅層都可以達(dá)到厚度可控、厚度偏差小、表面平整、均勻性好的效果，因而所得器件具有較好的一致性。