復(fù)合薄膜及其制造方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010071732.5 申請日 -
公開（公告）號 CN113224187A 公開（公告）日 2021-08-06
申請公布號 CN113224187A 申請公布日 2021-08-06
分類號 H01L31/0392（2006.01）I;H01L31/0216（2014.01）I;H01L31/18（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 張秀全;朱厚彬;李真宇;薛海蛟;李洋洋;張濤 申請（專利權(quán)）人 濟南晶正電子科技有限公司
代理機構(gòu) 北京銘碩知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 劉燦強;尹淑梅
地址 250101山東省濟南市高新區(qū)港興三路北段1號濟南藥谷研發(fā)平臺區(qū)1號樓B座1806室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 公開了一種復(fù)合薄膜及其制備方法，所述復(fù)合薄膜可以包括：襯底；第一隔離層，位于襯底的頂表面上；光學(xué)薄膜結(jié)構(gòu)，位于第一隔離層上，并且包括由光調(diào)制層、光傳輸層和產(chǎn)生光的有源層形成的堆疊結(jié)構(gòu)。有源層可以與光調(diào)制層和光傳輸層中的一者接觸。