壓電薄膜復(fù)合基板及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010071169.1 申請日 -
公開（公告）號 CN113223943A 公開（公告）日 2021-08-06
申請公布號 CN113223943A 申請公布日 2021-08-06
分類號 H01L21/265（2006.01）I;H01L21/18（2006.01）I;H01L41/39（2013.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 張秀全;朱厚彬;李真宇;薛海蛟;李洋洋;張濤 申請（專利權(quán)）人 濟(jì)南晶正電子科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京銘碩知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 劉燦強(qiáng);尹淑梅
地址 250101山東省濟(jì)南市高新區(qū)港興三路北段1號濟(jì)南藥谷研發(fā)平臺區(qū)1號樓B座1806室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 公開了一種壓電薄膜復(fù)合基板及其制備方法，所述壓電薄膜復(fù)合基板包括：襯底；壓電薄膜層，位于襯底的上表面上；以及隔離層，位于襯底與壓電薄膜層之間。隔離層包括具有不同折射率且彼此交替堆疊的多個(gè)子隔離層，并且所述多個(gè)子隔離層中的每個(gè)子隔離層的折射率小于壓電薄膜層的折射率。