一種薄膜體聲波器件及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010188672.5 申請日 -
公開（公告）號 CN113411064A 公開（公告）日 2021-09-17
申請公布號 CN113411064A 申請公布日 2021-09-17
分類號 H03H9/02（2006.01）I;H03H3/08（2006.01）I 分類 基本電子電路;
發(fā)明人 張秀全;朱厚彬;李真宇;劉桂銀 申請（專利權(quán)）人 濟(jì)南晶正電子科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京弘權(quán)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 逯長明;許偉群
地址 250100山東省濟(jì)南市高新區(qū)港興三路北段1號濟(jì)南藥谷研發(fā)平臺1號樓B1806
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請?zhí)峁┮环N薄膜體聲波器件及其制備方法，所述薄膜體聲波器件包括：帶有空腔的薄膜體、頂電極層和底電極層；所述帶有空腔的薄膜體包括第一襯底層和壓電薄膜層，所述空腔貫穿所述第一襯底層；所述底電極層沉積于所述空腔內(nèi)裸露的壓電薄膜層下，所述頂電極層沉積于所述壓電薄膜層上、與所述底電極層相對。由于體聲波產(chǎn)生區(qū)域?yàn)榈纂姌O層與頂電極層所覆蓋區(qū)域，因此，本申請實(shí)施例提供的薄膜體聲波器件，相對有現(xiàn)有技術(shù)中，在整個壓電膜層的兩面完全覆蓋底電極層和頂電極層的方案，可以降低驅(qū)動電壓，減少聲波濾波器的耗能。