一種復(fù)合薄膜的制備方法及復(fù)合薄膜

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202110479316.3 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN113193109A 公開(kāi)（公告）日 2021-07-30
申請(qǐng)公布號(hào) CN113193109A 申請(qǐng)公布日 2021-07-30
分類(lèi)號(hào) H01L41/312（2013.01）I;H01L41/33（2013.01）I 分類(lèi) 基本電氣元件;
發(fā)明人 劉桂銀;張秀全;劉阿龍;王金翠 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 濟(jì)南晶正電子科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京弘權(quán)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 逯長(zhǎng)明;許偉群
地址 250100山東省濟(jì)南市高新區(qū)港興三路北段1號(hào)濟(jì)南藥谷研發(fā)平臺(tái)1號(hào)樓B1806
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N復(fù)合薄膜的制備方法及復(fù)合薄膜。其中，制備方法包括在原始基板的第一表面和第二表面上進(jìn)行離子注入，得到晶圓注入片；晶圓注入片依次包括第一薄膜層、第一注入層、余質(zhì)層、第二注入層和第二薄膜層；將第一薄膜層與第一支撐基板鍵合，將第二薄膜層與第二支撐基板鍵合，得到鍵合體；第二支撐基板的熱膨脹系數(shù)和第一支撐基板的熱膨脹系數(shù)相同；將鍵合體進(jìn)行加熱至目標(biāo)溫度并以目標(biāo)溫度保溫至目標(biāo)時(shí)間，以使第一薄膜層和第二薄膜層分別與余質(zhì)層分離，得到第一復(fù)合薄膜和第二復(fù)合薄膜。采用上述制備方法，避免鍵合體發(fā)生彎曲，復(fù)合薄膜處于平坦?fàn)顟B(tài)，避免復(fù)合薄膜發(fā)生炸裂，提高復(fù)合薄膜的成品率，降低復(fù)合薄膜的生產(chǎn)成本。