IGBT器件及其制作方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202011554066.7 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN114678410A 公開(kāi)（公告）日 2022-06-28
申請(qǐng)公布號(hào) CN114678410A 申請(qǐng)公布日 2022-06-28
分類(lèi)號(hào) H01L29/06（2006.01）I;H01L29/423（2006.01）I;H01L29/739（2006.01）I;H01L21/331（2006.01）I 分類(lèi) 基本電氣元件;
發(fā)明人 張景超;戚麗娜;井亞會(huì);林茂;俞義長(zhǎng);趙善麒 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 江蘇宏微科技股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 常州佰業(yè)騰飛專(zhuān)利代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 -
地址 213022江蘇省常州市新北區(qū)華山中路18號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種IGBT器件及其制作方法，所述IGBT器件的溝槽形成于漂移區(qū)上部且貫穿阱區(qū)和源區(qū)，所述溝槽內(nèi)設(shè)有第一多晶硅和第二多晶硅，所述第一多晶硅連接?xùn)艠O電極，所述第二多晶硅位于所述源區(qū)之下的空間內(nèi)，且所述第二多晶硅與所述第一多晶硅、所述阱區(qū)、所述漂移區(qū)相隔離。本發(fā)明的IGBT器件柵極電容較小，因而開(kāi)通關(guān)斷速度快、損耗低。